產(chǎn)品詳情
該裝置為薄膜行業(yè)中實(shí)驗(yàn)儀器，用于檢查和分析薄膜樣品中晶點(diǎn)數(shù)量，達(dá)到改進(jìn)生產(chǎn)加工工藝，控制晶點(diǎn)數(shù)量的目的。
1-1.關(guān)于該裝置的運(yùn)行環(huán)境
該裝置為非標(biāo)定制設(shè)備，用于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境，實(shí)驗(yàn)室環(huán)境為無(wú)粉塵，無(wú)強(qiáng)酸強(qiáng)堿，無(wú)明火及水淹情況，嚴(yán)禁各部位在開(kāi)門(mén)狀態(tài)下使用。保證該裝置始終處于干燥環(huán)境，防止部件因潮濕環(huán)境產(chǎn)生銹蝕或漏電隱患。
1-2.嚴(yán)禁事項(xiàng)
該裝置為精密儀器，檢測(cè)室內(nèi)相機(jī)光源位置嚴(yán)禁移動(dòng)；
裝置已調(diào)試至最佳檢測(cè)位置，整體設(shè)備不可劇烈移動(dòng)或碰撞；
以下部件嚴(yán)禁觸碰移動(dòng)（相機(jī)、鏡頭、光源及其固定機(jī)構(gòu)）。
1.3裝置參數(shù)
檢測(cè)薄膜尺寸：A4尺寸
檢測(cè)精度：0.024mm
平臺(tái)運(yùn)行速度：0-40m/min
檢測(cè)缺陷類型：晶點(diǎn)為主，其余缺陷為輔
1.4報(bào)表形式
該裝置在檢測(cè)完成后自動(dòng)生成晶點(diǎn)數(shù)量分析報(bào)告
晶點(diǎn)等級(jí)：φ20-40μm φ40-60μm φ60-80μm φ80-100μm φ100-200μm ...... φ900-1000μm
可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)置等級(jí)跨度
